[뉴스] SK하이닉스, 내년에 무엇을 준비할까

내년에 SK하이닉스는 기술적 도전과 더불어 다양한 혁신을 예고하며 반도체 업계를 강타할 준비를 하고 있습니다. 과연 “내년에 무엇을 준비할까”라는 질문에 대한 답은, 10나노급 7세대(1d) D램 개발과 최첨단 EUV 노광기 도입이 핵심입니다. 이러한 움직임은 SK하이닉스가 앞으로의 반도체 시장에서 경쟁력을 확보하고, 새로운 성장 동력을 마련하는 데 중요한 계기를 마련할 것으로 기대됩니다.

차세대 D램 개발과 기술 혁신의 핵심, SK하이닉스의 도전

2026년을 향한 SK하이닉스의 목표는, AI와 고성능 컴퓨팅 수요에 부응하는 1d D램 개발입니다. 특히, 소자 선폭을 10㎚ 대로 줄이는 작업은 업계에서도 가장 높은 난이도를 자랑하며, 수율 확보에 오랜 시간과 투자가 요구되는 과제입니다. 실제로 현재 10~20% 수준인 웨이퍼 수율을 끌어올리기 위한 기술적 노력이 계속되고 있으며, 내년 하반기에는 개발 완료를 목표로 하고 있습니다.

이와 함께, SK하이닉스는 High-NA EUV 노광기를 적극 도입하여 차세대 공정을 지원할 준비를 하고 있습니다. 9월 이천 사업장에 설치된 ASML의 High-NA EUV 노광기는, 0a 이하 시대를 준비하는 중요한 인프라로 작용하며, 특히 버티컬 게이트(VG·4F²D) 공정에 핵심적입니다. 내년부터 본격 가동될 이 장비들은 수 조원이 넘는 투자가 집약된 최첨단 장비로, SK하이닉스가 더욱 정교한 공정을 선보이게 될 것입니다.

혁신은 여기서 멈추지 않는다: 새 제품과 전략의 출발점

내년 SK하이닉스의 핵심 투자 분야는 M15X 라인으로, HBM4와 대응하는 10나노급 5세대(1b) D램을 주력으로 삼고 있습니다. 이를 통해 월 9만 장 규모의 생산능력을 갖추고, 엔비디아의 소캠2 등에 필요한 고성능 범용 D램 공급도 확대할 계획입니다. 특히, 1c D램 라인 전환과 더불어 10세대 V10 낸드 개발도 가속화되어, 고용량 낸드의 경쟁력을 강화할 전망입니다.

이외에도, SK하이닉스는 300단 이상 추정되는 V10 낸드와 하이브리드 본딩 기술 도입을 추진하여, 경쟁사와의 차별화 전략을 강화하고 있습니다. 산업 내에서 공급이 부족한 LPDDR D램 제품의 수급난 해결도 중요한 과제로 떠오르고 있어, 내년에 어떤 성과를 거둘지 이목이 집중되고 있습니다.

결론: 내년, SK하이닉스와 함께하는 혁신의 시작

“내년에 무엇을 준비할까”라는 질문에 대한 답은, 바로 지속적인 기술 혁신과 대규모 투자입니다. SK하이닉스가 내년에 추진하는 첨단 공정 개발, 장비 도입, 신제품 생산라인 확대는 모두 글로벌 반도체 시장에서 선도적 위치를 확보하기 위한 초석입니다. 내년, SK하이닉스는 기술력과 전략적 투자를 바탕으로 한 단계 업그레이드된 모습으로 시장을 주도할 준비를 하고 있으며, 이는 곧 반도체 산업의 새로운 혁신의 서막이 될 것입니다.

내년 SK하이닉스의 행보에 관심을 갖고 지켜본다면, 그들이 만들어갈 미래가 기대됩니다.

D램과 낸드의 미래, 첨단 기술로 그리는 새로운 메모리 시대

범용 D램 수율 문제를 극복하며 1d D램 완성에 다가가는 SK하이닉스. 내년은 국내 반도체 업계에 있어 중요한 전환점이 될 전망입니다. 특히 SK하이닉스는 첨단 공정 개발과 투자에 집중하며, 차세대 메모리 시장을 선도하기 위한 다양한 기술적 도전들을 이어가고 있습니다.

SK하이닉스의 1d D램 개발, 수율 극복이 관건

내년에 주목할 만한 핵심 이슈는 바로 10나노급 7세대(1d) D램의 본격적인 개발입니다. 이 칩은 소자 내 선폭이 10㎚ 대로 좁혀지는 극한의 도전 과제이며, 현재 내부 개발 단계에서는 웨이퍼 수율이 10~20% 수준에 머무르고 있습니다. 이를 안정화하기 위해 SK하이닉스는 디자인 룰을 다소 완화하는 방안을 추진하며, 내년 하반기 최종 목표 달성을 기대하고 있습니다. 삼성전자 역시 유사한 난제를 겪고 있으며, 글로벌 경쟁사들이 동시에 첨단 기술 확보에 매진하고 있는 상황입니다.

아울러, 차세대 공정을 위한 핵심 인프라인 High-NA EUV 노광기 도입이 활발히 진행되고 있습니다. 내년 1분기부터 본격 가동을 시작하며, 특히 10㎚ 이하 시대를 대비한 기술로 평가받고 있습니다. SK하이닉스는 이 EUV 설비를 버티컬 게이트(VG)와 0b 제품에 적용해, 차세대 메모리 제품의 경쟁력을 높이겠다는 전략입니다.

첨단 낸드, 321단·QLC, 그리고 AI 맞춤형 SSD

내년 SK하이닉스는 낸드시장에서도 새로운 도약을 준비 중입니다. 321단 V9 낸드플래시와 함께 대용량 쿼드레벨셀(QLC) 제품군을 확대하며, 기업용 SSD 시장 공략을 강화하고 있습니다. 현재 낸드 생산능력은 월 14만 장 가량이며, 내년부터는 7만장 수준의 9세대(V9) 라인 전환을 통해 고용량, 고성능 제품을 적극 공급할 계획입니다.

또한, SK하이닉스는 차세대 HBM의 버전인 ‘고대역폭플래시(HBF)’ 개발에도 박차를 가하고 있습니다. AI와 데이터 센터를 겨냥한 SSD 시장에서, 엔비디아의 ‘스토리지 넥스트’와 같은 혁신적 프로젝트에 대응하기 위해서입니다. 내년 말까지 2500만 IOPS의 속도를 지원하는 제품 출시를 목표로 하며, 2027년에는 1억 IOPS까지 향상된 성능의 제품을 선보일 계획입니다.

미래 메모리 시장의 새로운 패러다임

SK하이닉스의 내년 준비는 첨단 공정 기술 확보뿐만 아니라, AI 및 데이터 센터 시장을 겨냥한 혁신적인 전략들을 포함하고 있습니다. 이러한 움직임은 범용 D램과 낸드 제품군이 점차 고도화되면서, 곧 다가올 메모리 초호황이 재확인될 것으로 기대를 모으고 있습니다.

“내년에 무엇을 준비할까?”라는 질문에 대한 답은 바로, 실패 없는 첨단 공정 도전과, 고객 맞춤형 AI 솔루션 강화를 통해 글로벌 메모리 시장에서의 입지를 굳히겠다는 SK하이닉스의 의지입니다.

미래를 향한 SK하이닉스의 첨단 기술 투자와 혁신 계획은, 곧 새로운 메모리 시대의 문을 열어줄 열쇠가 될 것입니다. 앞으로 어떤 기술들이 우리의 생활을 바꾸며, 메모리 산업의 판도를 어떻게 재편할지 기대를 모읍니다.

Reference

한국경제: https://www.hankyung.com/article/202512277449i