[뉴스] HBM4 공급 압도적으로 늘린다…치고 나간 삼성, 고심하는 SK

최근 글로벌 반도체 시장에서 삼성전자가 프리미엄 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급을 압도적으로 늘리며 강력한 시장 주도권을 확보하고 있습니다. 엔비디아와의 협력에서 삼성전자는 초당 13Gb의 고속 성능을 갖춘 HBM4를 공급하며, 경쟁사들을 뛰어넘는 기술력을 입증하고 있는데요. 이는 시장의 기대를 훨씬 뛰어넘는 속도로, 엔비디아의 요구조건(10~11Gb 이상)을 훌쩍 넘는 수치입니다.

특히, 현재 초당 13Gb 속도를 낼 수 있는 HBM4는 삼성전자만이 가능하며, SK하이닉스와 마이크론은 아직 11.7Gb 수준에 머물러 있습니다. 이러한 강력한 성능 덕분에 삼성전자는 엔비디아 점유율을 기존 전망치인 30% 이상으로 끌어올릴 것으로 기대되고 있으며, 이는 경쟁사들을 압도하는 수준입니다.

이와 함께 삼성전자는 첨단 4㎚ 파운드리 공정을 활용하여 전력 효율성과 성능을 동시에 잡아내는 기술적 강점을 보유하고 있습니다. 금속-절연막-금속(MIM) 커패시터와 같은 혁신적인 기술을 적용, 전력 소모를 최소화하면서도 높은 성능을 유지하는 것이 가능해졌습니다. 이러한 기술력은 AI 서비스를 비롯한 고성능 컴퓨팅 분야의 수요를 고려할 때 매우 중요한 경쟁력입니다.

또한, 삼성전자는 내년에 출시 예정인 HBM4E, 즉 엔비디아의 ‘베라 루빈 울트라’ AI 가속기 탑재용 제품에서도 16Gb의 속도를 자랑하며, 전력 소모는 동일하게 유지하는 성과를 기대하고 있습니다. 이처럼 삼성전자는 최신 첨단 공정을 적극 활용해 시장 경쟁에서 한 발 앞서 나가고 있으며, ‘HBM4 공급 압도적으로 늘린다…치고 나간 삼성’이라는 평가를 받고 있습니다.

반면, SK하이닉스는 12㎚ 공정을 활용하는 등 기술적 격차로 인해 시장 경쟁력에 대한 고심이 깊어지고 있으며, TSMC의 3㎚ 공정 도입 여부도 변수로 떠오르고 있습니다. 삼성전자가 고성능 시장에서 독보적인 위치를 차지하는 가운데, 앞으로의 시장 주도권은 어느 기업이 가져갈지 귀추가 주목됩니다.

SK하이닉스, TSMC 첨단 공정 도입으로 반격 준비 중

최근 글로벌 반도체 시장이 치열한 경쟁 속으로 접어들면서, SK하이닉스가 새로운 전략적 돌파구를 고민하고 있다. 특히, HBM4 공급 압도적으로 늘린다…치고 나간 삼성의 시장 점유율 확대와 경쟁사의 대응이 업계의 관심을 모으는 가운데, SK하이닉스는 기존 12nm 공정을 넘어 TSMC의 첨단 3nm 공정을 도입해 반격을 준비 중이다.

12nm 공정을 기반으로 하던 SK하이닉스는 최근 엔비디아의 HBM4 최종 샘플 제작을 위해 일부 설계 수정과 최적화를 진행하며, 적극적인 도약 의지를 보여주고 있다. 하지만, 12nm 공정은 이미 업계에서 한계에 부딪힌 것으로 평가받으며, 이를 극복하기 위해 TSMC의 3nm 첨단 공정을 검토하는 모습이다.

이 같은 결정은 고성능 칩 개발과 원가 효율성을 동시에 잡기 위한 선택으로 해석된다. 3nm 공정을 적용하면 성능 개선 폭은 클 수 있지만, 제품 원가 또한 급증하는 만큼, 업계는 SK하이닉스가 어떤 선택을 할지 촉각을 곤두세우고 있다. TSMC의 3nm 웨이퍼 단가는 12nm 대비 4~5배 비싸기 때문에, 실질적 경쟁력 확보와 가격 전략이 중요한 변수로 작용한다.

한편, 삼성전자는 이미 고성능 HBM4 공급을 압도적으로 늘리면서 시장을 주도하고 있다. 이에 맞서 SK하이닉스가 첨단 공정을 도입해 반격에 나설 경우, 글로벌 반도체 시장은 더욱 복잡한 경쟁 구도로 재편될 전망이다. 업계 관계자는 “고성능과 원가 사이에서 어떤 선택을 내리느냐에 따라 시장 판도도 달라질 것”이라고 전했다.

이처럼, HBM4 공급 압도적으로 늘린다…치고 나간 삼성과 함께, SK하이닉스의 이 업계 전략적 움직임은 앞으로의 반도체 시장 판도에 큰 영향을 미칠 것으로 기대된다. 과연, SK하이닉스가 어떤 결정을 내릴지 관심이 집중되고 있다.