[뉴스] 삼성 HBM4와 1c D램 현황은 어떨까

최근 반도체 업계의 가장 큰 화제는 바로 삼성전자가 차세대 메모리 시장에서 어떤 전략을 펼치고 있느냐입니다. 특히, 삼성 HBM4와 1c D램 현황은 어떨까라는 시선이 집중되고 있는데요, 이 배경에는 글로벌 GPU 시장의 판도 변화와 첨단 메모리 경쟁이 자리 잡고 있습니다.

이번에 삼성전자는 엔비디아 GPU용 HBM4 샘플을 내놓으며 본격적인 공급망 진입을 노리고 있습니다. 고객인 엔비디아는 이미 상당량의 샘플을 요구하며, 공급사슬 확보를 위한 치열한 경쟁이 시작된 모습입니다. 현재 삼성은 엔비디아에 동작샘플(FS)을 비롯해 엔지니어링 샘플(ES), 커스터머 샘플(CS)까지 다양한 단계의 제품을 제공 중인데요, 이는 삼성전자가 적극적으로 HBM4를 시장에 내놓기 위한 전략의 일환입니다.

그러나, 중요한 것은 여기서 드러나는 수율 문제입니다. 삼성전자에 따르면, HBM4에 사용되는 1c D램의 수율은 콜드 테스트 기준으로 35% 정도로 파악됩니다. 이는 실리콘관통전극(TSV) 설계로 인해 일반 D램보다 면적이 넓어지고, 따라서 수율이 낮아지는 현실을 반영한 수치입니다. 만약 모든 조건이 이상적이라면 100% 수율에서 41개의 칩이 생산될 수 있지만, 실제 수율이 35%라면 한 웨이퍼에서 만들어지는 칩 수는 약 14개에 그치게 됩니다.

이러한 수율 한계는 HBM4의 완성품 생산량에 큰 영향을 미치기 때문에, 삼성전자는 풍부한 생산능력을 활용해 웨이퍼 투입량을 최대한 늘리고 있습니다. 월 1만 장 수준이던 생산량을 두 배 가까이 늘리기 위한 방안까지 검토 중입니다. 또, 새로운 패키징 기술인 하이브리드 본딩은 이번 HBM4에서는 사용하지 않는 것으로 알려지면서, 기술적 난제와 투자가 계속되고 있음을 보여줍니다.

반면, 삼성전자뿐만 아니라 SK하이닉스도 차세대 메모리 시장을 본격 공략 중입니다. SK하이닉스는 이미 80%를 넘는 HBM4 수율을 기록하며, 내년에는 월 10만 장 이상의 생산 능력을 갖출 전망입니다. 특히, 1c D램과 1b D램 개발을 동시에 진행하며, HBM4와 함께 시장 확대를 노리고 있습니다.

이처럼, 삼성 HBM4와 1c D램 현황은 어떨까라는 관점에서 보면, 양사의 치열한 경쟁과 기술적 도전이 동시에 전개되고 있음을 알 수 있습니다. 과연 삼성전자는 어떤 전략으로 수율 문제를 극복하고 엔비디아 공급망에 성공할 수 있을지, 그리고 글로벌 메모리 시장에서 어떤 변화가 일어날지 주목할 만합니다. 지금이 바로 첨단 메모리의 새로운 시대를 여는 중요한 분수령임을 느낄 수 있습니다.

1c D램 수율 경쟁과 내년 반도체 시장의 승자는? — 삼성 HBM4와 1c D램 현황은 어떨까

반도체 시장의 뜨거운 이목이 집중되고 있는 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스가 각각의 강점과 전략으로 치열한 경쟁을 벌이고 있습니다. 특히, 1c D램 수율 경쟁은 내년 시장 판도를 결정짓는 중요한 변수로 떠오르고 있는데요. 오늘은 이와 관련하여 삼성 HBM4와 1c D램 현황은 어떨까라는 질문에 답하며, 두 기업의 기술력과 전망을 살펴보겠습니다.

삼성전자의 1c D램 수율 개선과 HBM4 전략

삼성전자는 최근 재설계된 1c D램 양산 승인 이후, 콜드 테스트 기준 수율을 60~70%대까지 끌어올리며 안정적인 생산체제를 구축하고 있습니다. 특히, 더미 셀(리던던시 셀)을 늘려 재설계한 덕분에 품질과 안정성을 동시에 확보하는 데 성공했죠. 이와 더불어, 삼성전자는 평택 P4 등지에 1c D램 설비를 증설하며 내년 말에는 월 10만 장 이상 생산이 가능할 전망입니다. 이는 기존 대비 두 배 가까운 성장으로, 글로벌 시장에서 강력한 경쟁력을 갖추게 될 것으로 기대됩니다.

한편, 삼성 HBM4 개발과 샘플 공급이 활발히 진행 중이며, 엔비디아와의 협력도 적극 추진되고 있습니다. HBM4의 경우, 수율이 아직 낮은 단계임에도 불구하고, 삼성은 풍부한 생산 능력을 활용해 더 많은 웨이퍼 투입으로 대응 중입니다. 수율이 35% 전후라는 어려운 현실 속에서도 삼성은 올해와 내년에 걸쳐 HBM4 양산을 가속화하며, 차세대 고대역폭 메모리 시장의 주도권을 잡겠다는 전략입니다.

SK하이닉스의 매끄러운 진척과 내년 목표

반면, SK하이닉스는 HBM4 개발 완료와 양산 체제 구축에 박차를 가하고 있습니다. 내부 평가를 거친 후, 커스터머 샘플 단계에 돌입했으며, 엔비디아와의 평가도 순조롭게 진행되고 있어 내년 양산 기대감이 높아지고 있습니다. 특히, SK하이닉스는 이미 상반기 기준 80% 이상 높은 수율을 기록하며 안정적인 기술력을 과시하고 있는데요. 곧 본격적인 양산 설비 구축과 확대를 통해 월 10만 장 시대를 열겠다는 계획입니다.

이처럼, 두 회사 모두 내년에는 확실히 HBM4와 1c D램 시장에서 경쟁의 열기를 높일 것으로 보입니다. SK하이닉스는 기존 M14·16 라인에서 1c D램 생산을 가속화하며, 1b D램과의 통합도 추진하고 있습니다. 이는 기존 기술 역량을 최대한 활용하여 시장 점유율을 키우기 위한 전략입니다.

내년 반도체 시장, 누가 승자가 될까?

지금까지의 주요 내용을 종합하면, 삼성전자는 60~70%에 이르는 수율 개선으로 시장 기대를 충족시키며 안정적인 생산 기반을 마련하고 있습니다. 동시에 HBM4 관련 기술도 단계별 시험과 양산 준비에 돌입했고, 글로벌 고객사와의 협력도 활발히 진행 중입니다. 한편, SK하이닉스는 이미 높은 수율과 안정성을 바탕으로 내년 월 10만 장의 대규모 양산 체제 전환을 앞두고 있어 경쟁 구도는 더욱 치열해질 전망입니다.

이렇듯, 삼성 HBM4와 1c D램 현황은 어떨까라는 관점에서 보면, 양사의 경쟁은 내년 반도체 시장의 중요한 분수령이 될 것입니다. 어느 쪽이 먼저 시장 점유율을 확장하며 기술적 우위를 확보하느냐에 따라, 글로벌 메모리 시장의 판도가 재편될 것이 분명합니다. 반도체 혁신의 미래는 바로 여기, 치열한 수율 경쟁과 생산력 확보 속에 숨쉬고 있습니다.

Reference

한국경제: https://www.hankyung.com/article/202509206316i